迎接第三代半导体的产业变革

在电源设计领域，小型化、高效化、高可靠性已成为不可逆的趋势。传统硅基器件的物理瓶颈，正制约着消费电子、工业设备、数据中心等场景的能效突破。氮化镓（GaN）作为第三代半导体核心材料，凭借其宽禁带特性、高电子迁移率与超高频性能，为电源设计带来颠覆性革新。

氮化镓器件的核心优势：从物理特性到系统级增益

高频开关能力

开关频率可达MHz级（较硅器件提升5-10倍），大幅降低无源器件（电感、电容）体积，功率密度提升50%以上。

减少开关损耗，系统效率突破94%，轻松满足DoE VI、CoC V5、80 PLUS Titanium等全球严苛能效标准。

低导通损耗与高热导率

相同耐压下导通电阻（Rds(on)）显著低于硅基MOSFET，降低导通损耗30%以上。

高热导率加速散热，降低热阻（RthJC），系统温升减少20%，延长器件寿命并简化散热设计。

系统级设计解放

支持LLC、PSFB等高效拓扑结构优化，助力实现65W~240W高功率输出。

为USB PD 3.1 EPR（240W）、PPS等高动态快充协议提供底层硬件支持。

为产业链赋能的四大价值

设计端：释放创新潜能

极致小型化：100W适配器体积缩小至传统方案的1/3，满足超薄笔电、多口快充墙插等紧凑场景。

缩短研发周期：快速验证拓扑方案。

制造端：降本增效

降低BOM成本：高频特性减少电容/电感用量，低热耗削减散热片成本。

提升良率与可靠性：器件一致性强，高温工况下失效率低于硅基方案。

产品端：打造市场竞争力

终端能效提升直接降低用户用电成本，契合全球碳中和政策。

低温静音运行（无风扇设计）提升用户体验，减少售后风险。

供应端：稳健交付保障

成熟量产的氮化镓器件供应链，支持定制化需求与长期产能规划。

为何选择我们的氮化镓解决方案？

全场景覆盖：650V/900V多电压平台，满足消费电子、数据中心、新能源等多领域需求。

技术闭环支持：

提供从器件选型、PCB布局到EMI优化的全流程FAE支持；

集成驱动GaN IC方案简化设计门槛。

持续创新：研发高集成度智能功率模块（IPM），引领下一代电源架构。

氮化镓技术已从实验室走向规模化商用，成为高效电源设计的基石。作为氮化镓器件的核心供应商，我们致力于通过高性能、高可靠性的产品与深度技术协作，助力客户优先市场先机。即刻探索我们的氮化镓产品矩阵与参考设计，开启电源设计的效率革命。