氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。
| 型号 | 产品图 | 最大漏极电压 | 最大漏极电流 | 导通内阻 | 封装 | 栅极总电荷 | 反向恢复电荷 | PDF下载 |
| ASMN065D200C1 |  |
650V | 200mΩ | TO-220F | 9.5nC | 110nC |  |
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| ASMN065D070F1 |  |
650V | 32A | 70mΩ | TO-220 | 14nC | 124nC | |
| ASMN065D070N1 |  |
650V | 24A | 70mΩ | DFN8*8 | 9.5nC | 110nC | |
| ASMN065D120N1 | |
650V | 17A | 120mΩ | DFN8*8 | 9.5nC | 110nC | |
| ASMN065D120C1 | |
650V | 200mΩ | TO-220 | 9.5nC | 110nC | |
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| ASMN065D120F1 |  |
650V | 22A | 120mΩ | TO-220 | 9.5nC | 110nC | |
