HGN65C1R120F采用TO-220封装、650V、120 mΩ氮化镓FET。它是一款常关器件，将最新的高压氮化镓 HEMT与低压硅 MOSFET相结合，提供卓越的可靠性和性能。HGN65C1R120F经JEDEC认证，先进的动态RDSon测试，具有宽栅极安全裕度、低反向恢复的特性。符合RoHS、REACH、无卤标准。提高硬开关和软开关电路的效率（增加功率密度、减小系统尺寸和重量、整体系统成本较低）,也兼容传统Si驱动器。
D-Mode氮化镓二维电子气浓度高，方阻低，共源共栅阈值电压为3V， VGS耐压在±20V，之间，动态电阻小于1.1，驱动更简单