封装是连接芯片和外部电路的桥梁，封装技术对芯片性能的影响主要体现在几个方面：

提升系统性能：随着摩尔定律迭代速度放缓，先进封装技术成为提升系统性能的另一发展主轴。通过集成化封装，可以在不缩小制程节点的背景下，仅通过改进封装方式就能提升芯片性能。

提高信号传输效率和稳定性：封装技术能够保护芯片免受环境因素的影响，同时提高信号传输效率和稳定性，这对于芯片性能的稳定发挥至关重要。

增强芯片性能：封装技术通过提高集成度来满足现代电子设备功能日益复杂的需求。一方面，增加单个芯片的功能密度；另一方面，通过系统级封装（SiP）等技术将多个不同功能的芯片集成在一起，形成一个完整的系统，从而增强芯片性能。

降低信号传输延迟：高性能封装工艺发展包括提高芯片的电气性能，例如降低信号传输延迟、提高信号完整性等。通过采用先进的封装技术，如倒装芯片（Flip - Chip）技术和球栅阵列封装（BGA）技术，可以实现更短的电气连接路径，从而减少信号传输过程中的延迟和损耗。

改善散热性能：随着芯片的集成度和性能的提高，芯片产生的热量也越来越多。新型的封装技术注重改善散热性能，例如采用散热性能更好的封装材料、优化封装结构以增加散热路径等，这对于维持芯片性能和可靠性至关重要。

三维封装（3D封装）：三维封装技术通过堆叠不同的芯片层，可以在有限的空间内实现更高的集成度和性能，这对于提升芯片性能和实现更复杂的功能具有重要意义。

保护芯片免受损害：封装材料可以保护芯片免受微粒、湿气和机械力等外界因素对它的损害，同时也增强了散热。

随着技术的发展，多样性的应用需求创造了一系列的封装媒介和封装工艺。

以下是一些常见的功率芯片封装类型：

TO封装：包括TO-220和TO-247等，这些是分立式封装，广泛应用于小功率范围，需要焊接到印刷电路板上。由于功率损耗相对较低，散热要求不高，这种封装设计通常不采用内部绝缘，每个封装中只有一个开关。

模块层叠结构：包括TO-247单管封装及模块封装，外壳、芯片、端子和键合线是其主要组成部分。

翻转贴片封装：阿肯色大学团队借鉴BGA的封装技术，提出了一种单管的翻转贴片封装技术，可以有效减小杂散电感值，将其大小控制在5nH以下。

DBC+PCB混合封装：这种封装方式结合了两种成熟工艺的优势，易于制作，可实现低杂散电感以及更小的体积。

SKiN封装：由Semikron公司利用SKiN封装技术制作的1200V/400A的SiC模块，采用柔性PCB板取代键合线实现芯片的上下表面电气连接，模块内部回路寄生电感仅有1.5nH。

DLB、Cu-Clip、SiPLIT封装：这些封装技术通过平面互连的方式实现芯片正面的连接，减小电流回路，进而减小杂散电感、电阻，还拥有更出色的温度循环特性以及可靠性。

在不同领域，不同产品又各有特点，举例几个在功率芯片中最常用的封装规格：

TO-220/220F：这是一种分立式封装，广泛应用于小功率范围。TO-220F是全塑封装，装到散热器上时不必加绝缘垫；而TO-220带金属片与中间脚相连，装散热器时要加绝缘垫。

TO-251：这种封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积，主要应用于中压大电流60A以下、高压7A以下的环境中。

TO-92：这种封装只有低压MOS管（电流10A以下、耐压值60V以下）和高压1N60/65在使用，目的是降低成本。

TO-252(D-PAK)：这是一种塑封贴片封装，常用于功率晶体管、稳压芯片的封装，是目前主流封装之一。采用该封装方式的MOSFET有3个电极，栅极(G)、漏极(D)、源极(S)。其中漏极(D)的引脚被剪断不用，而是使用背面的散热板作漏极(D)，直接焊接在PCB上，一方面用于输出大电流，一方面通过PCB散热。

TO-263(D2PAK)：这是TO-220的一个变种，主要是为了提高生产效率和散热而设计，支持极高的电流和电压，在150A以下、30V以上的中压大电流MOS管中较为多见。